Samsung разработала экономичные модули памяти RDIMM DDR3 объёмом 32 ГБ

Инженеры компании Samsung разработали модули регистровой памяти RDIMM, объём которых достигает 32 ГБ. Устройства выполнены по технологии «30-нм класса» и отличаются пониженным энергопотреблением благодаря применению технологии объемной компоновки с межслойными соединениями (three dimensional through-silicon vias, 3D TSV).

Модули памяти, в которых используются микросхемы Green DDR3 DRAM плотностью 4 Гбит, работают на частоте 1333 МГц и потребляют всего 4,5 Вт. По словам компании, это самый низкий показатель энергопотребления среди модулей памяти для серверов. Технология 3D TSV позволила сделать решения на 30% экономичнее 30-нм модулей LRDIMM аналогичного объёма.

Преимущество технологии TSV заключается в использовании многослойной конструкции, которая по производительности сопоставима с монолитным кристаллом. Сокращение количества микросхем позволяет увеличить плотность при одновременном снижении энергопотребления.